Лаборатория компании Hitachi в Кембридже совместно с несколькими университетами Европы открыла магниторезистивный (МР) эффект названый "Coulomb blockade anistropic magneto-resistance (CBAMR)", который создает в 100 раз большее электрическое сопротивление по сравнению с обычным МР-эффектом. Компания заявила, что сделанное открытие позволит создать считывающую головку для жестких дисков с плотностью записи 1 Терабит на 1 квадратный дюйм. Хотя экспе
... Читать дальше »
Бипиридил-динитро-олигофенилен-этинилен-дитиол… Запомнить это название без профессиональных навыков непросто, а между тем, единственная молекула этого вещества сама обладает способностью «запоминания», изменяя и сохраняя свою проводимость под действием электрических импульсов, что дает основание рассматривать получивший аббревиатуру BPDN-DT материал в качестве основы для построения перспективных запоминающих устройств высочайшей плотности. Авторс
... Читать дальше »
