ВыходВход

Меню сайта

Календарь новостей
«  Август 2006  »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 123456
78910111213
14151617181920
21222324252627
28293031

Форма входа

Поиск по новостям

Друзья сайта

Наш опрос
Который производитель GPU по вашему мнению лучше?

[ Результаты · Архив опросов ]

Всего ответов: 28

Администрация
Отправить сообщение Morfey

Статистика

В IBM изобрели мономолекулярные запоминающие устройства
» 2006 » Август » 12 » В IBM изобрели мономолекулярные запоминающие устройства
В IBM изобрели мономолекулярные запоминающие устройства
Бипиридил-динитро-олигофенилен-этинилен-дитиол… Запомнить это название без профессиональных навыков непросто, а между тем, единственная молекула этого вещества сама обладает способностью «запоминания», изменяя и сохраняя свою проводимость под действием электрических импульсов, что дает основание рассматривать получивший аббревиатуру BPDN-DT материал в качестве основы для построения перспективных запоминающих устройств высочайшей плотности. Авторство изобретения принадлежит исследователям, работающим в лабораториях компании IBM.

В материалах, посвященных описанию исследований, говорится том, что в лабораторных условиях была протестирована способность единичных молекул BPDN-DT сохранять способность к изменению состояния в течение многих часов во время более чем 500 проведенных опытов. По мнению исследователей, это является «замечательным результатом для мономолекулярных систем». В дальнейших планах разработчики ставят перед собой задачу нахождения связи между строением молекулы и ее электрическими характеристиками, а также создание некоего механизма, ответственного за переключения. Впрочем, окончательного ответа «как это работает», пока нет, и до сих пор продолжаются споры, насколько открытие может быть применимо в коммерческих устройствах.

Согласно предварительным данным от исследователей, процесс переключения между состояниями молекулы занимает не более 640 микросекунд, но верхний предел, по их словам, не может быть определен точнее до полного изучения природы открытого феномена. В случае успешного развития изобретение может стать одним из вариантов преодоления физического предела уменьшения масштабов полупроводниковых структур на основе кремния, находящегося около 10 нм, тогда как молекула BPDN-DT имеет в длину около 1,5 нм.

Просмотров: 768 | Добавил: Morfey | Дата:

Комментарии
Всего комментариев: 1
1 КРеол  
0
Не говорите, что мне нужно делать, и я не буду говорить, куда вам нужно идти.

Имя *:
Email *:
Код *: